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  • 半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)
    半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2024-12-17

    型號(hào):

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    半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)華測(cè)儀器通過多年研究開發(fā)了一種可實(shí)現(xiàn)高的精度溫控,高屏蔽干擾信號(hào)的循環(huán)熱風(fēng)加熱方式,在高速加熱及高速冷卻時(shí),具有均勻的溫度分布。 可實(shí)現(xiàn)寬域均熱區(qū),高速加熱、高速冷卻 ,加熱箱體整體密封,無氣氛污染。
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  • HC-TSC功率器件有機(jī)材料環(huán)氧樹脂TSDC測(cè)試系統(tǒng)
    HC-TSC功率器件有機(jī)材料環(huán)氧樹脂TSDC測(cè)試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2024-12-16

    型號(hào):HC-TSC

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    功率器件有機(jī)材料環(huán)氧樹脂TSDC測(cè)試系統(tǒng)熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程,在該過程中,電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。
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  • HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測(cè)試系統(tǒng)
    HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測(cè)試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2024-12-12

    型號(hào):HC-TSC

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    半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測(cè)試系統(tǒng)熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程,在該過程中,電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。
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  • SIR-450半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)
    SIR-450半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2024-12-17

    型號(hào):SIR-450

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    半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)高低溫環(huán)境下的絕緣電阻測(cè)試技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,高分子聚合物材料在高溫環(huán)境下具有負(fù)阻性的特征,電阻(率)隨著溫度的上升而下降,HTRB性能之間的相關(guān)性表明,隨著溫度的上升電阻率越下降嚴(yán)重,而HTRB性能越差,因此,材料的電阻率是HTRB失效測(cè)量的一個(gè)關(guān)鍵測(cè)量手段。
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  • HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測(cè)試系統(tǒng)
    HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測(cè)試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2024-12-12

    型號(hào):HC-TSC

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    半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測(cè)試系統(tǒng)熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程,在該過程中,電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。
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  • 半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái)
    半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái)

    更新時(shí)間:2024-12-12

    型號(hào):

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    半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái)是一種能夠在高真空環(huán)境下進(jìn)行精確測(cè)量和實(shí)驗(yàn)的設(shè)備。其基本原理是利用真空環(huán)境下的物理現(xiàn)象和特性,對(duì)樣品進(jìn)行各種實(shí)驗(yàn)和測(cè)量。在高真空環(huán)境中,氣體分子很少,這有助于減少空氣阻力、空氣振動(dòng)和其他干擾因素,從而獲得較為準(zhǔn)確和可靠的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
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  • 半導(dǎo)體封裝材料高溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)
    半導(dǎo)體封裝材料高溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2024-12-16

    型號(hào):

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    半導(dǎo)體封裝材料高溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)運(yùn)用三電極法設(shè)計(jì)原理測(cè)量。利用新穎的電阻測(cè)試系統(tǒng),重復(fù)性與穩(wěn)定性更好,提升了夾具的抗干擾能力,同時(shí)大大提高精確度,可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測(cè)以及新材料電學(xué)性能研究等用途。
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  • HC-TSC2000半導(dǎo)體封裝材料TSDC測(cè)試系統(tǒng)
    HC-TSC2000半導(dǎo)體封裝材料TSDC測(cè)試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2024-12-06

    型號(hào):HC-TSC2000

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    半導(dǎo)體封裝材料TSDC測(cè)試系統(tǒng)因?yàn)闊岽碳る娏髋c材料的這些參數(shù)(如h與τ)密切相關(guān),故它是一種研究介電材料、絕緣材料、半導(dǎo)體材料等的有效手段。tsc是指當(dāng)樣品受到電場(chǎng)極化后,去掉電場(chǎng),熱激時(shí),樣品從極化態(tài)轉(zhuǎn)變到平衡態(tài)的過程中,在外電路中得到的電流,稱為熱激退極化電流。
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